细胞靶诱变辐射大于先前思考

纽约，1999年4月27日 - 无论哥伦比亚大学医师和外科医院的研究人员的一份报告，In电离辐射会导致DNA的潜在致癌突变，无论Columbia大学学院的报告。在4月27日发表的调查结果，在国家科学院学会问题上，矛盾的信念矛盾，即辐射仅当它撞击细胞核时才会导致遗传突变。DNA突变率在Tom K. Hei博士和他的同事们在细胞细胞质中辐射细胞核，细胞内的一部分，用α颗粒，雷达发出的辐射，在正常正常上升到正常正常。结果表明，科学家可能需要改变暴露于氡和X射线等低水平辐射水平的人的癌症风险估计。

“核心一直被认为是任何致癌突变的典型目标，”辐射肿瘤学和公共卫生副教授吉博士说。“我们已经了解到，如果用α粒子击中细胞质，您将有可能在核中调解一个突变事件。”

在哥伦比亚大学的伊森特州的放射性研究加速器设施的最先进的微观，允许惠博士博士在细胞内的特定地区发射精确的α粒子。在照射成千上万细胞的细胞质之后，研究人员发现，通过八个α颗粒造成的细胞显示出高于正常突变率的突变率。

对突变的分析表明，它们与核照射引起的突变显着不同，并且可能造成更大的癌症风险。当α粒子撞击细胞核时，它们通常损害大部分DNA，而不是杀死细胞。另一方面，由细胞质辐射引起的突变通常比自发突变相似，并且造成较少的细胞。由于癌症从非致命突变产生给细胞的DNA，因此细胞质辐射可能在致癌中发挥重要作用。

在暴露癌症和出生缺陷的风险方面，细胞质辐射应被视为人类健康的主要关注点，以及对我们对辐射暴露和疾病之间关系的理解产生深远的影响，在纸上写下了作者。低水平辐射造成的风险的当前估计部分地基于电离辐照可以在撞击细胞核时导致遗传突变的理论。

通过产生高活性自由基，似乎通过产生高反应性自由基来引起遗传突变，这迁移到它们突变DNA的核。当在照射之前用抗氧化剂DMSO预处理细胞时，突变率保持在正常附近。

本文的其他作者是李军吴，格哈德兰德斯 - 佩尔森，徐和查尔斯R. Gasdd，医师和外科医院的所有放射研究中心，Charles A.科罗拉多州立大学的瓦尔德中国科学院曾良余曾良宇。

该研究得到了国家卫生研究院和美国国家航空航天局的支持。

本文的副本可以从PNAS新闻办公室的记者提供，电话。（202）334-2138或电子邮件pnasnews@nas.edu.。